7月17日，由北京博電新力電氣股份有限公司自主研制的半導體靜態(tài)測試設(shè)備順利通過某知名院所預(yù)驗收。驗收組專家聽取了博電電氣的產(chǎn)品研制情況匯報，現(xiàn)場查看測試情況。專家組成員對博電測試產(chǎn)品的測試結(jié)果滿意，一致同意該設(shè)備通過預(yù)驗收。

▲博電電氣自主研制的半導體靜態(tài)測試設(shè)備

▲雙方就現(xiàn)場測試具體細節(jié)進行討論

▲現(xiàn)場測試

大功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，離不開半導體和電子材料、關(guān)鍵零部件、制造設(shè)備、檢測設(shè)備等關(guān)鍵技術(shù)裝備的支撐。博電電氣前瞻部署，以二十來積累的大功率測試技術(shù)為基礎(chǔ)，研發(fā)大功率IGBT、SiC半導體的系列測試設(shè)備，能夠廣泛應(yīng)用于大功率半導體的研發(fā)、生產(chǎn)、應(yīng)用的各個環(huán)節(jié)，提供關(guān)鍵測試設(shè)備和測試技術(shù)，助推中國功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

博電電氣自主研發(fā)的IGBT檢測設(shè)備測試對象包括IGBT單芯片與IGBT模塊測試，測試內(nèi)容涵蓋動態(tài)測試、靜態(tài)測試、功率循環(huán)測試、單芯片測試及篩選等方面，測試最高電壓5KV、測試電流最大5000A，可滿足市場上全部型號IGBT的測試。